- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/40 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 53/40
Brevets de cette classe: 41
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
17 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
13 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| National Central University | 224 |
1 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |